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          IGBT市场商机无限 中韩厂商成不稳定因素

          发布时间:2021-08-25点击:42

           在2011-2012年IGBT市场少许反常性的下跌后,Yole分析师预期今年市场已回归稳定成长脚步,具体而言,市场规模预估将从今年的36亿美元,在5年后达到60亿美金。

           

          IGBT市场成长的五大动力源

                 IGBT在电动车/动力混合汽车( EV/HEV),再生能源( Renewable Energies),电机驱动器( Motor Drive),不间断电动力系统 (UPS)及交通上的应用是市场成长的动力来源。

                 其中,电机驱动器是带动IGBT市场成长的最大动力,又可区分为工业、商业和住宅应用;风能,太阳能等再生能源也是IGBT市场成长的帮手。不过,这两个产业多赖政府补助或投资,难以正确预估其成长趋势。幸运的是,日本与一些发展中国家风能与太阳能市场的成长,约可弥补欧洲市场的成长趋缓;基于提高能源效率的要求,大众运输及不间断电源系统等基础建设需求也驱动了IGBT市场的成长;至于IGBT在EV/HEV应用的情况尚无法确定,从2013年第一季EV/HEV的市场季报及其技术演变来看,增长一定会来到,但无法准确断定成长幅度及时间。

                 除了上述的几个主要成长动力外,Yole还对潜在应用进行了分析,其中一些重要趋势不容忽视,例如所谓的“变频器化”(Inverterization)便是其中之一。

                 为了达到高端家电更高性能、更舒适、更节能的必备条件,越来越多家电电机驱动器都要求配备变频器。消费者也越来越习惯使用先进的家电产品,例如电磁感应电锅。这一类新兴应用将会促使IGBT在消费性应用领域的增长。

           

                 2012年电力设备市场衰退,尤其是IGBT市场惨跌25%,主要是由于以下几个原因:

          1)2012年欧洲各国政府紧缩对再生能源的补助,风力发电机及太阳能安装量骤跌;

          2)2012年中国减缓风力发电机的安装速度;

          3)2012年中国高铁事故导致高铁的生产喊停

          4)全球经济复苏速度不如预期的快,进而影响消费性市场买气。

                 此外,受到日本地震及海啸的影响,导致系统制造商争取订单货源。综合上述因素,造成2011年IGBT产能过剩,IGBT市场也为此在2012年及2013年初付出了代价。


                 与SiC、GaN三分天下,IGBT转移至中低端解决方案

                 此外,IGBT市场还面临着来自外部的竞争压力。通过观察IGBT的同类元器件的趋势,注意到发生了很多技术演进。

                 事实上,IGBT驱动器领域从来没有像今天这般活跃过:有一大堆的新兴厂商推出具有更佳设计灵活性及效能的解决方案;其他一些厂商致力于功率堆迭(power stack level)的设计。越来越多的厂商将心力投注到功率模块封装的解决方案上。 


                 不过,IGBT已经不再是高端电子设备的唯一解决方案了。SiC器件已经量产,GaN器件也进入试产阶段。应用版图已经十分清晰,基于MOSFET或者JFET的SiC太阳能变频器已经诞生,高压和低压应用市场分别被SiC和GaN技术占据,IGBT则逐渐转移至中低端解决方案。

                 如今,对高效能源的需求比以往更甚,IGBT仍处于发展及改善阶段:更薄的晶圆,更高效率的生产,功能整合等等。因此,Yole认为IGBT市场并没有进入弥留之际或是衰退期。不,绝不是,IGBT市场的商机无限。

           

          中韩厂商抢入,供应链极不稳定

                 IGBT供应链极不稳定,越来越多的亚洲厂商已进入或愿意进入IGBT的市场。中国及韩国厂商进入IGBT市场是发展趋势。其中,最大的厂商有收购丹尼克斯半导体的中国南车(CSR)以及BYD,两者皆有志向垂直整合的业务模式进军。

                 代工厂及无晶圆厂也正在瞄准低电压,低端产品市场的发展机会。作为进入市场的第一步,亚洲厂商可能会先掌握既有的标准技术,专注于生产当地市场所需的产品上。

                 与此同时,美国及欧洲厂商正在致力于推动技术创新,有一部分半导体厂商如安森美(子公司三洋)、万国半导体(AOS)等都正在切入或准备切入IGBT市场。

           在2011-2012年IGBT市场少许反常性的下跌后,Yole分析师预期今年市场已回归稳定成长脚步,具体而言,市场规模预估将从今年的36亿美元,在5年后达到60亿美金。

           

          IGBT市场成长的五大动力源

                 IGBT在电动车/动力混合汽车( EV/HEV),再生能源( Renewable Energies),电机驱动器( Motor Drive),不间断电动力系统 (UPS)及交通上的应用是市场成长的动力来源。

                 其中,电机驱动器是带动IGBT市场成长的最大动力,又可区分为工业、商业和住宅应用;风能,太阳能等再生能源也是IGBT市场成长的帮手。不过,这两个产业多赖政府补助或投资,难以正确预估其成长趋势。幸运的是,日本与一些发展中国家风能与太阳能市场的成长,约可弥补欧洲市场的成长趋缓;基于提高能源效率的要求,大众运输及不间断电源系统等基础建设需求也驱动了IGBT市场的成长;至于IGBT在EV/HEV应用的情况尚无法确定,从2013年第一季EV/HEV的市场季报及其技术演变来看,增长一定会来到,但无法准确断定成长幅度及时间。

                 除了上述的几个主要成长动力外,Yole还对潜在应用进行了分析,其中一些重要趋势不容忽视,例如所谓的“变频器化”(Inverterization)便是其中之一。

                 为了达到高端家电更高性能、更舒适、更节能的必备条件,越来越多家电电机驱动器都要求配备变频器。消费者也越来越习惯使用先进的家电产品,例如电磁感应电锅。这一类新兴应用将会促使IGBT在消费性应用领域的增长。

           

                 2012年电力设备市场衰退,尤其是IGBT市场惨跌25%,主要是由于以下几个原因:

          1)2012年欧洲各国政府紧缩对再生能源的补助,风力发电机及太阳能安装量骤跌;

          2)2012年中国减缓风力发电机的安装速度;

          3)2012年中国高铁事故导致高铁的生产喊停

          4)全球经济复苏速度不如预期的快,进而影响消费性市场买气。

                 此外,受到日本地震及海啸的影响,导致系统制造商争取订单货源。综合上述因素,造成2011年IGBT产能过剩,IGBT市场也为此在2012年及2013年初付出了代价。


                 与SiC、GaN三分天下,IGBT转移至中低端解决方案

                 此外,IGBT市场还面临着来自外部的竞争压力。通过观察IGBT的同类元器件的趋势,注意到发生了很多技术演进。

                 事实上,IGBT驱动器领域从来没有像今天这般活跃过:有一大堆的新兴厂商推出具有更佳设计灵活性及效能的解决方案;其他一些厂商致力于功率堆迭(power stack level)的设计。越来越多的厂商将心力投注到功率模块封装的解决方案上。 


                 不过,IGBT已经不再是高端电子设备的唯一解决方案了。SiC器件已经量产,GaN器件也进入试产阶段。应用版图已经十分清晰,基于MOSFET或者JFET的SiC太阳能变频器已经诞生,高压和低压应用市场分别被SiC和GaN技术占据,IGBT则逐渐转移至中低端解决方案。

                 如今,对高效能源的需求比以往更甚,IGBT仍处于发展及改善阶段:更薄的晶圆,更高效率的生产,功能整合等等。因此,Yole认为IGBT市场并没有进入弥留之际或是衰退期。不,绝不是,IGBT市场的商机无限。

           

          中韩厂商抢入,供应链极不稳定

                 IGBT供应链极不稳定,越来越多的亚洲厂商已进入或愿意进入IGBT的市场。中国及韩国厂商进入IGBT市场是发展趋势。其中,最大的厂商有收购丹尼克斯半导体的中国南车(CSR)以及BYD,两者皆有志向垂直整合的业务模式进军。

                 代工厂及无晶圆厂也正在瞄准低电压,低端产品市场的发展机会。作为进入市场的第一步,亚洲厂商可能会先掌握既有的标准技术,专注于生产当地市场所需的产品上。

                 与此同时,美国及欧洲厂商正在致力于推动技术创新,有一部分半导体厂商如安森美(子公司三洋)、万国半导体(AOS)等都正在切入或准备切入IGBT市场。


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